ТГУ.Сотрудники
Influence of Postgrowth Processing Technology on the Laser Induced Damage Threshold of ZnGeP2 Single Crystal
| Авторы | автор Москвичев Е. Н. (Сотрудник), автор Юдин Н. А. (Сотрудник), автор Дёмин В. В. (Сотрудник), автор Подзывалов С. Н. (Студент), автор Юдин Н. Н. (Сотрудник), автор Грибенюков А. И. (Сотрудник другой организации), автор Слюнько Е. С. (Студент), автор Кулеш М. М. (Студент), автор Пфайф А. А. (Студент), автор Антипов О. Л. (Сотрудник другой организации), автор Зиновьев М. М. (Аспирант), автор Журавлёва Е. В. (Аспирант) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2022 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), каф. оптико-электронных систем и дистанционного зондирования (РФФ), каф. полупроводниковой электроники (РФФ), лаборатория радиофизических и оптических методов изучения окружающей среды (РФФ) |
| Библиографическая запись | Influence of Postgrowth Processing Technology on the Laser Induced Damage Threshold of ZnGeP2 Single Crystal / N.N. Yudin, A.I. Gribenyukov, V.V. Dyomin, M.M. Zinoviev [et al] // Russian Physics Journal. 2022. Vol. 64, № 11. P. 2096‒2101. DOI: 10.1007/s11182-022-02561-0 |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность