Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером
| Авторы | автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Дзядух С. М. (Сотрудник) |
| Тип | Тезисы |
| Год | 2025 |
| Язык | русский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ) |
| Библиографическая запись | Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 132. |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность