Photocurrent of X-ray sensors made of single crystal sapphire and undoped silicon carbide under irradiation by polychromatic X-ray

Авторы автор Жидиков А. (Сотрудник, Студент), автор Петрова Ю. С. (Сотрудник), автор Шаймерденова Л. К. (Сотрудник), автор Космачев П. В. (Сотрудник), автор Толбанов О. П. (Сотрудник), автор Трофимов М. С. (Сотрудник, Аспирант), автор Тяжев А. В. (Сотрудник), автор Зарубин А. Н. (Сотрудник), автор Бабешко В. В. (Сотрудник, Аспирант), автор Шемерянкина А. В. (Сотрудник), автор Чаштанов К. А. (Сотрудник, Студент)
Тип Статья в журнале
Год 2025
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", каф. полупроводниковой электроники (РФФ), Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике"
Библиографическая запись Photocurrent of X-ray sensors made of single crystal sapphire and undoped silicon carbide under irradiation by polychromatic X-ray / Chashtanov K.A., Tyazhev A.V., Zhidikov А.V., Trofimov M.S. [et al] // Russian Physics Journal. 2025. Vol. Online first. DOI: 10.1007/s11182-025-03589-8
Направление науки
УДК