Simulation of Lateral Distributions of Resistivity and Charge Carrier Lifetime in Chromium-Compensated Gallium Arsenide Wafers
| Авторы | автор Скакунов М. С. (Сотрудник), автор Шемерянкина А. В. (Сотрудник), автор Шаймерденова Л. К. (Сотрудник), автор Тяжев А. В. (Сотрудник), автор Толбанов О. П. (Сотрудник), автор Винник А. Е. (Сотрудник), автор Щербаков И. Д. (Сотрудник), автор Зарубин А. Н. (Сотрудник), автор Лозинская А. Д. (Сотрудник), автор Петрова Ю. С. (Сотрудник), автор Космачев П. В. (Сотрудник) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2025 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", каф. полупроводниковой электроники (РФФ), Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике" |
| Библиографическая запись | Simulation of Lateral Distributions of Resistivity and Charge Carrier Lifetime in Chromium-Compensated Gallium Arsenide Wafers / A.E. Vinnik, A.N. Zarubin, P.V. Kosmachev, A.D. Lozinskaya [et al] // Russian Physics Journal. 2025. Vol. 68, № 5. P. 722‒730. DOI: 10.1007/s11182-025-03487-z |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность