Фотопроводящие дипольные антенны на основе высокоомного арсенида галлия (HR-GaAs:Cr), облученные электронами, для генерации и детектирования терагерцового излучения

Авторы автор Саркисов С. Ю. (Сотрудник), автор Кобцев Д. А. (Аспирант)
Тип Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др.
Год 2022
Язык русский
Отдел Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", Радиофизический факультет, Научное управление, лаборатория детекторов синхротронного излучения (ЦИР ПТМ), каф. полупроводниковой электроники (РФФ), научная лаборатория терагерцовых исследований (НУ)
Библиографическая запись Кобцев Д.А., Саркисов С.Ю. Фотопроводящие дипольные антенны на основе высокоомного арсенида галлия (HR-GaAs:Cr), облученные электронами, для генерации и детектирования терагерцового излучения // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов Всероссийской научной молодежной конференции, 28 ноября – 2 декабря 2022 года, Санкт-Петербург. Санкт-Петербург: Политех-Пресс, 2022. С. 101.
Направление науки
УДК 621.382