Исследование способов получения и временной стабильности нанослоев GaSe и InSe

Авторы автор Редькин Р. А. (Сотрудник), автор Кобцев Д. А. (Сотрудник), автор Березная С. А. (Сотрудник), автор Коротченко З. В. (Сотрудник), автор Новиков В. А. (Сотрудник), автор Саркисов С. Ю. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2020
Язык русский
Отдел Радиофизический факультет, Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", Физический факультет, каф. полупроводниковой электроники (РФФ), Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", каф. физики полупроводников (ФФ)
Библиографическая запись Исследование способов получения и временной стабильности нанослоев GaSe и InSe / Редькин Р.А., Кобцев Д.А., Березная С.А., Коротченко З.В. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 9. С. 50‒54. DOI: 10.17223/00213411/63/9/50
Направление науки
УДК