Исследование способов получения и временной стабильности нанослоев GaSe и InSe
Авторы | автор Редькин Р. А. (Сотрудник), автор Кобцев Д. А. (Сотрудник), автор Березная С. А. (Сотрудник), автор Коротченко З. В. (Сотрудник), автор Новиков В. А. (Сотрудник), автор Саркисов С. Ю. (Сотрудник) |
Тип | Статья в журнале |
Год | 2020 |
Язык | русский |
Отдел | Радиофизический факультет, Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", Физический факультет, каф. полупроводниковой электроники (РФФ), Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", каф. физики полупроводников (ФФ) |
Библиографическая запись | Исследование способов получения и временной стабильности нанослоев GaSe и InSe / Редькин Р.А., Кобцев Д.А., Березная С.А., Коротченко З.В. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 9. С. 50‒54. DOI: 10.17223/00213411/63/9/50 |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность