Измерение времени жизни носителей заряда в SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии

Авторы	автор Колесникова И. И. (Сотрудник), автор Кобцев Д. А. (Студент), автор Редькин Р. А. (Аспирант), автор Саркисов С. Ю. (Сотрудник), автор Толбанов О. П. (Сотрудник), автор Тяжев А. В. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2020
Язык	русский
Отдел	Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", Радиофизический факультет, Центр исследований и разработок "Перспективные технологии в микроэлектронике", каф. полупроводниковой электроники (РФФ)
Библиографическая запись	Измерение времени жизни носителей заряда в SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии / Колесникова И.И., Кобцев Д.А., Редькин Р.А., Саркисов С.Ю. [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 16‒21. DOI: 10.17223/00213411/63/4/16
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность