Electronic properties of GaSe, InSe, GaS andGaTe layered semiconductors: chargeneutrality level and interface barrier heights

Авторы автор Брудный В. Н. (Сотрудник), автор Саркисов С. Ю. (Сотрудник), автор Кособуцкий А. В. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2015
Язык английский
Отдел Физический факультет, каф. физики полупроводников (ФФ)
Библиографическая запись Brudnyi V.N., Sarkisov S.Y., Kosobutsky A.V. Electronic properties of GaSe, InSe, GaS andGaTe layered semiconductors: chargeneutrality level and interface barrier heights //Semiconductor Science and Technology. 2015. Vol. 30, № 11. P. 1-6.
Направление науки
УДК