Electronic properties of GaSe, InSe, GaS and GaTe layered semiconductors: Charge neutrality level and interface barrier heights

Авторы автор Брудный В. Н. (Сотрудник), автор Саркисов С. Ю. (Сотрудник), автор Кособуцкий А. В. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2015
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, лаб. функциональной электроники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ)
Библиографическая запись Brudnyi V.N., Sarkisov S.Y., Kosobutsky A.V. Electronic properties of GaSe, InSe, GaS and GaTe layered semiconductors: Charge neutrality level and interface barrier heights //Semiconductor Science and Technology. 2015. Vol. 30, № 11. P. 115019(9pp).
Направление науки
УДК