On the charge neutrality level and the electronic properties of interphase boundaries in the layered epsilon-GaSe semiconductor

Авторы автор Брудный В. Н. (Сотрудник), автор Саркисов С. Ю. (Сотрудник), автор Кособуцкий А. В. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2015
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, лаб. функциональной электроники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ)
Библиографическая запись Brudnyi V.N., Sarkisov S.Y., Kosobutsky A.V. On the charge neutrality level and the electronic properties of interphase boundaries in the layered epsilon-GaSe semiconductor //Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 10. P. 1307-1310.
Направление науки
УДК