Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation

Авторы	автор Прудаев И. А. (Сотрудник), автор Саркисов С. Ю. (Сотрудник), автор Толбанов О. П. (Сотрудник), автор Кособуцкий А. В. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2015
Язык	английский
Отдел	Радиофизический факультет, Научное управление, лаб. функциональной электроники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ)
Библиографическая запись	Ilya Prudaev, Sergey Sarkisov, Oleg Tolbanov, Alexey Kosobutsky. Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation //Physica Status Solidi B: Basic Research. 2015. Vol. 252, № 5. P. 946-951.
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность