Capacitance-voltage characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators

Авторы	автор Войцеховский А. В., автор Несмелов С. Н., автор Дзядух С. М.
Тип	Статья в журнале
Год	2012
Язык	английский
Отдел	Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись	Vojcexovskij A.V., Nesmelov S.N., Dzyadux S.M. Capacitance-voltage characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators //Thin Solid Films. 2012. Vol. 522. P. 261-266.
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность