Зависимость параметров массива квантовых точек Ge на поверхности Si(100) от условий синтеза

Авторы	автор Лозовой К. А., автор Войцеховский А. В., автор Коханенко А. П., автор Турапин А. М.
Тип	Тезисы
Год	2011
Язык	русский
Отдел	Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись	Лозовой К.А., Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Турапин А.М. Зависимость параметров массива квантовых точек Ge на поверхности Si(100) от условий синтеза // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 94.
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность