ТГУ.Сотрудники
Электрические и фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава
| Авторы | автор Михайлов Н. Н., автор Якушев М. В., автор Дворецкий С. А., автор Варавин В. С., автор Сидоров Ю. Г., автор Несмелов С. Н., автор Дзядух С. М., автор Войцеховский А. В. |
| Тип | Тезисы |
| Год | 2011 |
| Язык | русский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Электрические и фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава / Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Дворецкий С.А., Варавин В.С. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 321. |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность