Electrical and microscopic characterization of n+-type layers formed in HgCdTe with boron

Авторы автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Ужаков И. Н. (Сотрудник другой организации), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации)
Тип Статья в журнале
Год 2025
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, деканат радиофизического факультета (РФФ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ)
Библиографическая запись Electrical and microscopic characterization of n+-type layers formed in HgCdTe with boron / A.G. Korotaev, A.V. Voitsekhovskii, K.D. Mynbaev, V.S. Varavin [et al] // Journal of Physics D: Applied Physics. 2025. Vol. 58, № 44. Art. num. 445106. DOI: 10.1088/1361-6463/ae148e
Направление науки
УДК