Моделирование сверхрешеточного барьера для nBn-структур на основе n-HgCdTe

Авторы	автор Каширский Д. Е. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2025
Язык	русский
Отдел	Научное управление, Радиофизический факультет, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ)
Библиографическая запись	Каширский Д.Е., Горн Д.И., Войцеховский А.В. Моделирование сверхрешеточного барьера для nBn-структур на основе n-HgCdTe // Известия высших учебных заведений. Физика. 2025. Т. 68, № 10. С. 5‒13. DOI: 10.17223/00213411/68/10/1
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность