Determination of the Electrical Properties of the HgCdTe nB(SL)n-Based MIS Structure in a Wide Temperature Range

Авторы	автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации)
Тип	Статья в журнале
Год	2025
Язык	английский
Отдел	Радиофизический факультет, Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ)
Библиографическая запись	Determination of the Electrical Properties of the HgCdTe nB(SL)n-Based MIS Structure in a Wide Temperature Range / A.V. Voitsekhovskii, S.M. Dzyadukh, D.I. Gorn, S.A. Dvoretskii [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2025. Vol. 70, № 2. P. 46‒51. DOI: 10.1134/S106422692570010X
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность