Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера

Авторы	автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации)
Тип	Тезисы
Год	2025
Язык	русский
Отдел	Радиофизический факультет, Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ)
Библиографическая запись	Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника. XXIX симпозиум, 10–14 марта 2025 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Н. Новгород, 2025. С. 346.
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность