Матричное фотоприемное устройство средневолнового ИК диапазона спектра с nBn-архитектурой из CdHgTe с барьерным слоем на основе сверхрешетки
| Авторы | автор Седнев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Лопухин А. А. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Иродов Н. А. (Сотрудник другой организации), автор Пермикина Е. В. (Сотрудник другой организации), автор Яковлева Н. И. (Сотрудник другой организации), автор Бурлаков И. Д. (Сотрудник другой организации), автор Горн Д. И. (Сотрудник), автор Трухачев А. В. (Сотрудник другой организации), автор Болтарь К. О. (Сотрудник другой организации), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2025 |
| Язык | русский |
| Отдел | Научное управление, Радиофизический факультет, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ) |
| Библиографическая запись | Матричное фотоприемное устройство средневолнового ИК диапазона спектра с nBn-архитектурой из CdHgTe с барьерным слоем на основе сверхрешетки / А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, К.О. Болтарь, И.Д. Бурлаков [и др.] // Прикладная физика. 2025. № 1. С. 38‒44. DOI: 10.51368/1996-0948-2025-1-38-44 |
| Направление науки | |
| УДК | 621.383.4/5 |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность