Study of the formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method
Авторы | автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Кукенов О. (Сотрудник, Аспирант), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Лозовой К. А. (Сотрудник), автор Майер К. А. (Студент), автор Дирко В. В. (Сотрудник) |
Тип | Статья в журнале |
Год | 2024 |
Язык | английский |
Отдел | Научное управление, Радиофизический факультет, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), Радиофизический факультет |
Библиографическая запись | Study of the formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method / O.I. Kukenov, V.V. Dirko, K.A. Lozovoy, A P Kokhanenko [et al] // St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics. 2024. Vol. 17, № 3.2. P. 139‒142. DOI: 10.18721/JPM.173.227 |
Направление науки | |
УДК | 539.27, 539.234 |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность