Study of the formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method

Авторы	автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Дирко В. В. (Сотрудник), автор Кукенов О. (Сотрудник, Аспирант), автор Лозовой К. А. (Сотрудник), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Майер К. А. (Студент)
Тип	Статья в журнале
Год	2024
Язык	английский
Отдел	Научное управление, Радиофизический факультет, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), Радиофизический факультет
Библиографическая запись	Study of the formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method / O.I. Kukenov, V.V. Dirko, K.A. Lozovoy, A P Kokhanenko [et al] // St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics. 2024. Vol. 17, № 3.2. P. 139‒142. DOI: 10.18721/JPM.173.227
Направление науки
УДК	539.27, 539.234

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность