Study of the formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method

Авторы автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Кукенов О. (Сотрудник, Аспирант), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Лозовой К. А. (Сотрудник), автор Майер К. А. (Студент), автор Дирко В. В. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2024
Язык английский
Отдел Научное управление, Радиофизический факультет, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), Радиофизический факультет
Библиографическая запись Study of the formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method / O.I. Kukenov, V.V. Dirko, K.A. Lozovoy, A P Kokhanenko [et al] // St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics. 2024. Vol. 17, № 3.2. P. 139‒142. DOI: 10.18721/JPM.173.227
Направление науки
УДК 539.27, 539.234