Effect of changing the growth mechanism on the synthesis of two-dimensional germanium layers and quantum dots on silicon

Авторы автор Швалева К. И. (Аспирант), автор Соколов А. С. (Студент), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Дирко В. В. (Сотрудник), автор Лозовой К. А. (Сотрудник), автор Кукенов О. (Сотрудник, Аспирант)
Тип Статья в журнале
Год 2024
Язык английский
Отдел Научное управление, Радиофизический факультет, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), Радиофизический факультет
Библиографическая запись Effect of changing the growth mechanism on the synthesis of two-dimensional germanium layers and quantum dots on silicon / O.I. Kukenov, V.V. Dirko, A.S. Sokolov, K.A. Lozovoy [et al] // Journal of Optical Technology. 2024. Vol. 91, № 6. P. 416‒420. DOI: 10.1364/JOT.91.000416
Направление науки
УДК