Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе HgCdTe nBn со сверхрешёткой в барьерной области

Авторы автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник другой организации)
Тип Статья в журнале
Год 2024
Язык русский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ)
Библиографическая запись Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе HgCdTe nBn со сверхрешёткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Оптический журнал. 2024. Т. 91, № 10. С. 3‒14. DOI: 10.17586/1023-5086-2024-91-10-3-14
Направление науки
УДК 539.216