Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe

Авторы автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник), автор Средин В. Г. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник)
Тип Тезисы
Год 2024
Язык русский
Отдел Научное управление, Радиофизический факультет, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ)
Библиографическая запись Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП), 7–11 октября 2024 года, Санкт-Петербург : тезисы докладов. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2024. С. 133.
Направление науки
УДК