Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Авторы автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2024
Язык русский
Отдел Научное управление, Радиофизический факультет, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ)
Библиографическая запись Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Прикладная физика. 2024. № 4. С. 46‒52. DOI: 10.51368/1996-0948-2024-4-46-52
Направление науки
УДК 621.315.592