Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Авторы | автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник) |
Тип | Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др. |
Год | 2024 |
Язык | русский |
Отдел | Научное управление, Радиофизический факультет, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ) |
Библиографическая запись | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329 |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность