Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Авторы автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник)
Тип Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др.
Год 2024
Язык русский
Отдел Научное управление, Радиофизический факультет, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ)
Библиографическая запись Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329
Направление науки
УДК