Dark Current Components of nB(SL)n Structures Based on HgCdTe for a Wide Range of Bias Voltages

Авторы автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Горн Д. И. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2023
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ)
Библиографическая запись Dark Current Components of nB(SL)n Structures Based on HgCdTe for a Wide Range of Bias Voltages / A.V. Voitsekhovskii, S.M. Dzyadukh, D.I. Gorn, S.A. Dvoretskii [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2023. Vol. 68, № Suppl. 2. P. 132‒137. DOI: 10.1134/S1064226923140176
Направление науки
УДК