Dark Current Components of nB(SL)n Structures Based on HgCdTe for a Wide Range of Bias Voltages
Авторы | автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Горн Д. И. (Сотрудник) |
Тип | Статья в журнале |
Год | 2023 |
Язык | английский |
Отдел | Радиофизический факультет, Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ) |
Библиографическая запись | Dark Current Components of nB(SL)n Structures Based on HgCdTe for a Wide Range of Bias Voltages / A.V. Voitsekhovskii, S.M. Dzyadukh, D.I. Gorn, S.A. Dvoretskii [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2023. Vol. 68, № Suppl. 2. P. 132‒137. DOI: 10.1134/S1064226923140176 |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность