Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов

Авторы автор Кукенов О. (Аспирант), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Лозовой К. А. (Сотрудник), автор Дирко В. В. (Сотрудник), автор Соколов А. С. (Студент)
Тип Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др.
Год 2023
Язык русский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), лаб. тестирования программного обеспечения систем (РФФ)
Библиографическая запись Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.С. Соколов [и др.] // Невская фотоника-2023 : Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов, 9-13 октября 2023 г. СПб.: Университет ИТМО, 2023. С. 297.
Направление науки
УДК