Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне
Авторы | автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник) |
Тип | Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др. |
Год | 2023 |
Язык | русский |
Отдел | Научное управление, Радиофизический факультет, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ) |
Библиографическая запись | Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне / С.М. Дзядух, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 270‒272. |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность