Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения

Авторы автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Горн Д. И. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2023
Язык русский
Отдел Научное управление, Радиофизический факультет, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ)
Библиографическая запись Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Прикладная физика. 2023. № 4. С. 78‒86. DOI: 10.51368/1996-0948-2023-4-78-86
Направление науки
УДК 621.315.592