Определение электрофизических свойств МДП на основе nB(SL)n-структуры из HgCdTe в широком температурном диапазоне

Авторы автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Горн Д. И. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2023
Язык русский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ)
Библиографическая запись Определение электрофизических свойств МДП на основе nB(SL)n-структуры из HgCdTe в широком температурном диапазоне / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Прикладная физика. 2023. № 5. С. 75‒83. DOI: 10.51368/1996-0948-2023-5-75-83
Направление науки
УДК 621.315.592