Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов

Авторы автор Ремесник В. Г. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник), автор Ужаков И. Н. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Меньшиков Р. В. (Сотрудник другой организации), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации)
Тип Тезисы
Год 2023
Язык русский
Отдел Радиофизический факультет, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ)
Библиографическая запись Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов / Н.Н. Михайлов, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, Варавин В.С. [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 85. DOI: 10.34077/RCSP2023-85
Направление науки
УДК