Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов
Авторы | автор Ремесник В. Г. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Меньшиков Р. В. (Сотрудник другой организации), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Ужаков И. Н. (Сотрудник другой организации) |
Тип | Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др. |
Год | 2023 |
Язык | русский |
Отдел | Радиофизический факультет, Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ) |
Библиографическая запись | Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686. |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность