Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Авторы автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Ужаков И. Н. (Сотрудник другой организации), автор Меньшиков Р. В. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Горн Д. И. (Сотрудник)
Тип Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др.
Год 2023
Язык русский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ)
Библиографическая запись Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541.
Направление науки
УДК