Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области

Авторы автор Горн Д. И. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Ужаков И. Н. (Сотрудник другой организации), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Меньшиков Р. В. (Сотрудник другой организации), автор Дзядух С. М. (Сотрудник)
Тип Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др.
Год 2023
Язык русский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ)
Библиографическая запись Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305.
Направление науки
УДК 535(06)+004(06)