Diffusion Limitation of Dark Current in the nBn Structures Based on the MBE HgCdTe

Авторы	автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации)
Тип	Статья в журнале
Год	2022
Язык	английский
Отдел	Научное управление, Радиофизический факультет, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ)
Библиографическая запись	Diffusion Limitation of Dark Current in the nBn Structures Based on the MBE HgCdTe / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretskii S.A. [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2022. Vol. 67, № 3. P. 308‒312. DOI: 10.1134/S1064226922030172
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность