Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Авторы	автор Дирко В. В. (Аспирант), автор Лозовой К. А. (Сотрудник), автор Коханенко А. П. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник)
Тип	Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др.
Год	2021
Язык	русский
Отдел	Радиофизический факультет, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ)
Библиографическая запись	Дирко В.В., Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2021: 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2021. С. 245.
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность