Admittance of pentacene-based MIS-structures with two-layer insulator SiO2-Al2O3

Авторы	автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Копылова Т. Н. (Сотрудник), автор Дегтяренко К. М. (Сотрудник)
Тип	Статья в журнале
Год	2021
Язык	английский
Отдел	Радиофизический факультет, Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ)
Библиографическая запись	Admittance of pentacene-based MIS-structures with two-layer insulator SiO2-Al2O3 / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Kopylova T.N. [et al] // Russian Physics Journal. 2021. Vol. 64, № 7. P. 1281‒1288. DOI: 10.1007/s11182-021-02454-8
Направление науки
УДК
Ссылка на экземпляр в электронной библиотеке	https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-search.pl?q=control-number:koha000893722

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность