Admittance of MIS Structures Based on nBn Systems of Epitaxial HgCdTe for Detection in the 3–5 μm Spectral Range

Авторы	автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации)
Тип	Статья в журнале
Год	2021
Язык	английский
Отдел	Радиофизический факультет, Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ)
Библиографическая запись	Admittance of MIS Structures Based on nBn Systems of Epitaxial HgCdTe for Detection in the 3–5 μm Spectral Range / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretskii S.A. [et al] // Technical Physics Letters. 2021. Vol. 47, № 6. P. 616‒619. DOI: 10.1134/S1063785021060286
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность