Admittance of MIS Structures Based on nBn Systems of Epitaxial HgCdTe for Detection in the 3–5 μm Spectral Range

Авторы автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации)
Тип Статья в журнале
Год 2021
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ)
Библиографическая запись Admittance of MIS Structures Based on nBn Systems of Epitaxial HgCdTe for Detection in the 3–5 μm Spectral Range / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretskii S.A. [et al] // Technical Physics Letters. 2021. Vol. 47, № 6. P. 616‒619. DOI: 10.1134/S1063785021060286
Направление науки
УДК