Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm

Авторы	автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации)
Тип	Статья в журнале
Год	2021
Язык	русский
Отдел	Радиофизический факультет, Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ)
Библиографическая запись	Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 12. С. 34‒37. DOI: 10.21883/PJTF.2021.12.51065.18760
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность