Diffusion-limited dark currents in mid-wave infrared HgCdTe-based nBn structures with Al2O3 passivation
Авторы | автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации) |
Тип | Статья в журнале |
Год | 2020 |
Язык | английский |
Отдел | Радиофизический факультет, Научное управление, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", лаборатория квантовых информационных технологий (РФФ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
Библиографическая запись | Diffusion-limited dark currents in mid-wave infrared HgCdTe-based nBn structures with Al2O3 passivation / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Journal of Physics D: Applied Physics. 2020. Vol. 53, № 5. P. 055107-1‒055107-6. DOI: 10.1088/1361-6463/ab5487 |
Направление науки | |
УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность