ТГУ.Сотрудники
Peculiarities of the External Photoelectric Effect in Narrow-Band Semiconductors Caused by Soft X-Ray Radiation
| Авторы | автор Средин В. Г. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Рамакоти Р. Ш. (Сотрудник другой организации), автор Ананьин О. Б. (Сотрудник другой организации), автор Мелехов А. П. (Сотрудник другой организации) |
| Тип | Статья в сборнике материалов конференций, симпозиумов и др. |
| Год | 2020 |
| Язык | английский |
| Отдел | Радиофизический факультет, Научное управление, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Peculiarities of the External Photoelectric Effect in Narrow-Band Semiconductors Caused by Soft X-Ray Radiation / Voitsekhovskii A.V., Sredin V.G., Ramakoti R.S., Ananin O.B. [et al] // 2020 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE). Proceedings. USA: IEEE, 2020. P. 1009‒1011. DOI: 10.1109/EFRE47760.2020.9242145 |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность