ТГУ.Сотрудники
Accumulation of Arsenic Implantation-Induced Donor Defects in Hg0.7Cd0.3Te Heteroepitaxial Structures
| Авторы | автор Ижнин И. И. (Сотрудник), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Фицыч Е. И. (Сотрудник другой организации), автор Swiatek Z. (Сотрудник другой организации), автор Jakiela R. (Сотрудник другой организации) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2021 |
| Язык | английский |
| Отдел | Научное управление, Радиофизический факультет, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ) |
| Библиографическая запись | Accumulation of Arsenic Implantation-Induced Donor Defects in Hg0.7Cd0.3Te Heteroepitaxial Structures / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V, Korotaev A.G., Dvoretsky S.A. [et al] // Journal of Electronic Materials. 2021. Vol. 50, № 6. P. 3714‒3721. DOI: 10.1007/s11664-021-08877-w |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность