Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe

Авторы	автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник), автор Ижнин И. И. (Сотрудник другой организации)
Тип	Статья в журнале
Год	2022
Язык	английский
Отдел	Научное управление, Радиофизический факультет, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ)
Библиографическая запись	Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe / A.V. Voitsekhovsky, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, S.A. Dvoretsky [et al] // Applied Nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 403‒409. DOI: 10.1007/s13204-020-01636-z
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность