Nano-scale structural studies of defects in arsenic-implanted n and p-type HgCdTe flms

Авторы автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации), автор Марин Д. В. (Сотрудник другой организации), автор Фицыч Е. И. (Сотрудник другой организации), автор Бончик А. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Morgiel Y. (Сотрудник другой организации), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Савицкий Г. В. (Сотрудник другой организации), автор Ижнин И. И. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Swiatek Z. (Сотрудник другой организации)
Тип Статья в журнале
Год 2022
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ)
Библиографическая запись Nano-scale structural studies of defects in arsenic-implanted n and p-type HgCdTe flms / A.V. Voitsekhovsky, A.G. Korotaev, I.I. Izhnin, K.D. Mynbaev [et al] // Applied Nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 395‒401. DOI: 10.1007/s13204-021-01704-y
Направление науки
УДК