The Effect of As+ Ion Implantation and Annealing on the Electrical Properties of Near-Surface Layers in Graded-Gap n-Hg0.78Cd0.22Te Films

Авторы	автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Марин Д. В. (Сотрудник другой организации)
Тип	Статья в журнале
Год	2021
Язык	английский
Отдел	Научное управление, Радиофизический факультет, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ)
Библиографическая запись	The Effect of As+ Ion Implantation and Annealing on the Electrical Properties of Near-Surface Layers in Graded-Gap n-Hg0.78Cd0.22Te Films / Voitsekhovskii A.V, Nesmelov S.N., Dziadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Technical Physics Letters. 2021. Vol. 47, № 2. P. 189‒192. DOI: 10.1134/S1063785021020309
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность