Investigation of the Differential Resistance of MIS Structures Based on n-Hg0.78Cd0.22Te with Near-Surface Graded-Gap Layers

Авторы	автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Кульчицкий Н. А. (Сотрудник другой организации), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации)
Тип	Статья в журнале
Год	2021
Язык	английский
Отдел	Научное управление, Радиофизический факультет, лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ)
Библиографическая запись	Investigation of the Differential Resistance of MIS Structures Based on n-Hg0.78Cd0.22Te with Near-Surface Graded-Gap Layers / Voitsekhovskii A.V, Nesmelov S.N., Dziadukh S.M., Dvoretsky S. A. [et al] // Journal of Communications Technology and Electronics. 2021. Vol. 66, № 3. P. 337‒339. DOI: 10.1134/S1064226921030219
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность