Impedance of MIS devices based on nBn structures from mercury cadmium telluride

Авторы автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации)
Тип Статья в журнале
Год 2020
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Impedance of MIS devices based on nBn structures from mercury cadmium telluride / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63, № 6. P. 907‒916. DOI: 10.1007/s11182-020-02117-0
Направление науки
УДК