ТГУ.Сотрудники
Electrical and microscopic characterization of p+-type layers formed in HgCdTe by arsenic implantation
| Авторы | автор Ижнин И. И. (Сотрудник), автор Мынбаев К. Д. (Сотрудник другой организации), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Коротаев А. Г. (Сотрудник), автор Варавин В. С. (Сотрудник другой организации), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Марин Д. В. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации), автор Świątek Z. (Сотрудник другой организации), автор Morgiel J. (Сотрудник другой организации), автор Бончик А. Ю. (Сотрудник другой организации) |
| Тип | Статья в журнале |
| Год | 2020 |
| Язык | английский |
| Отдел | Научное управление, Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), деканат радиофизического факультета (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ") |
| Библиографическая запись | Electrical and microscopic characterization of p+-type layers formed in HgCdTe by arsenic implantation / Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dziadukh S.M. [et al] // Semiconductor Science and Technology. 2020. Vol. 35, № 11. P. 115019-1‒115019-9. DOI: 10.1088/1361-6641/ab924e |
| Направление науки | |
| УДК |
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность