Admittance of metal–insulator–semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures

Авторы	автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Несмелов С. Н. (Сотрудник), автор Дзядух С. М. (Сотрудник), автор Дворецкий С. А. (Сотрудник), автор Михайлов Н. Н. (Сотрудник другой организации), автор Сидоров Г. Ю. (Сотрудник другой организации), автор Якушев М. В. (Сотрудник другой организации)
Тип	Статья в журнале
Год	2020
Язык	английский
Отдел	Радиофизический факультет, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись	Admittance of metal–insulator–semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // Semiconductor Science and Technology. 2020. Vol. 35, № 5. P. 055026-1‒055026-7. DOI: 10.1088/1361-6641/ab7beb
Направление науки
УДК

Учебная деятельность

Научная деятельность

Конкурсная деятельность