Molecular dynamics simulations of the growth of Ge on Si

Авторы автор Zhou Y. (Сотрудник другой организации), автор Lloyd A. (Сотрудник другой организации), автор Smith R. (Сотрудник другой организации), автор Лозовой К. А. (Сотрудник), автор Войцеховский А. В. (Сотрудник), автор Коханенко А. П. (Сотрудник)
Тип Статья в журнале
Год 2020
Язык английский
Отдел Радиофизический факультет, Научное управление, Обособленное структурное подразделение "Сибирский физико-технический институт", каф. квантовой электроники и фотоники (РФФ), лаб. наноэлектроники и нанофотоники (НУ), научно образовательный центр «Функциональные материалы радио и оптоэлектроники» (ОСП "СФТИ ТГУ")
Библиографическая запись Molecular dynamics simulations of the growth of Ge on Si / Smith R., Lozovoy K.A., Voitsekhovskii A. V., Kokhanenko A.P., Zhou Y. [et al] // Surface Science. 2020. Vol. 696. P. 121594-1—121594-9. DOI: 10.1016/j.susc.2020.121594
Направление науки
УДК